型号/品牌/封装
品类/描述
库存
价格(含税)
资料
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品类: MOS管描述: Trans MOSFET N-CH 40V 119A 3Pin(2+Tab) DPAK T/R419410+￥6.8400100+￥6.4980500+￥6.27001000+￥6.25862000+￥6.21305000+￥6.15607500+￥6.110410000+￥6.0876 -
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品类: MOS管描述: FDD6637 系列 35 V 11.6 mOhm P 沟道 PowerTrench Mosfet TO-25237875+￥5.130025+￥4.750050+￥4.4840100+￥4.3700500+￥4.29402500+￥4.19905000+￥4.161010000+￥4.1040 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 分立，STMicroelectronics ### IGBT 分立件和模块，STMicroelectronics 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。1817 -
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品类: MOS管描述: N沟道 40V 20A37615+￥2.335525+￥2.162550+￥2.0414100+￥1.9895500+￥1.95492500+￥1.91175000+￥1.894410000+￥1.8684 -
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品类: MOS管描述: MOSFET 150V 1 N-CH HEXFET 32mOhms 60NC428410+￥9.4800100+￥9.0060500+￥8.69001000+￥8.67422000+￥8.61105000+￥8.53207500+￥8.468810000+￥8.4372 -
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品类: MOS管描述: Trans MOSFET N-CH 55V 71A 3Pin(2+Tab) DPAK T/R88195+￥12.998750+￥12.4432200+￥12.1321500+￥12.05441000+￥11.97662500+￥11.88775000+￥11.83227500+￥11.7766 -
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品类: MOS管描述: 功率MOSFET Power MOSFET285910+￥8.4000100+￥7.9800500+￥7.70001000+￥7.68602000+￥7.63005000+￥7.56007500+￥7.504010000+￥7.4760 -
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品类: MOS管描述: 功率MOSFET Power MOSFET198510+￥7.3560100+￥6.9882500+￥6.74301000+￥6.73072000+￥6.68175000+￥6.62047500+￥6.571410000+￥6.5468 -
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品类: MOS管描述: D2PAK P-CH 150V 27A13411+￥93.207510+￥89.1550100+￥88.4256250+￥87.8582500+￥86.96671000+￥86.56142500+￥85.99415000+￥85.5078 -
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品类: MOS管描述: PowerTrench® N 通道 MOSFET，20A 至 59.9A，Fairchild Semiconductor ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。57555+￥5.940025+￥5.500050+￥5.1920100+￥5.0600500+￥4.97202500+￥4.86205000+￥4.818010000+￥4.7520 -
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品类: IGBT晶体管描述: IKD03N60RFATMA1 编带59385+￥3.712525+￥3.437550+￥3.2450100+￥3.1625500+￥3.10752500+￥3.03885000+￥3.011310000+￥2.9700 -
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品类: MOS管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDD8896 晶体管, MOSFET, N沟道, 94 A, 30 V, 0.0047 ohm, 10 V, 2.5 V32335+￥3.159025+￥2.925050+￥2.7612100+￥2.6910500+￥2.64422500+￥2.58575000+￥2.562310000+￥2.5272 -
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品类: MOS管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDD6685 晶体管, MOSFET, P沟道, -40 A, -30 V, 0.014 ohm, -10 V, -1.8 V129510+￥8.7240100+￥8.2878500+￥7.99701000+￥7.98252000+￥7.92435000+￥7.85167500+￥7.793410000+￥7.7644 -
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品类: MOS管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDD3860 晶体管, MOSFET, N沟道, 29 A, 100 V, 0.029 ohm, 10 V, 3.8 V78181+￥308.062010+￥300.025650+￥293.8644100+￥291.7213200+￥290.1140500+￥287.97101000+￥286.63162000+￥285.2922 -
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品类: MOS管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDD3682 晶体管, MOSFET, N沟道, 32 A, 100 V, 0.032 ohm, 10 V, 4 V55855+￥4.320025+￥4.000050+￥3.7760100+￥3.6800500+￥3.61602500+￥3.53605000+￥3.504010000+￥3.4560 -
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品类: MOS管描述: 30V,85A,N沟道MOSFET675210+￥1.201550+￥1.1392100+￥1.0947300+￥1.0680500+￥1.04131000+￥1.01462500+￥0.97465000+￥0.9657 -
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品类: MOS管描述: PowerTrench® N 通道 MOSFET，20A 至 59.9A，Fairchild Semiconductor ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。48335+￥5.400025+￥5.000050+￥4.7200100+￥4.6000500+￥4.52002500+￥4.42005000+￥4.380010000+￥4.3200 -
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品类: MOS管描述: ON Semiconductor UniFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDD5N60NZTM, 2.4 A, Vds=600 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装56625+￥5.778025+￥5.350050+￥5.0504100+￥4.9220500+￥4.83642500+￥4.72945000+￥4.686610000+￥4.6224 -
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品类: MOS管描述: MOSFET N-CH 30V 90A DPAK37551+￥71.242510+￥68.1450100+￥67.5875250+￥67.1538500+￥66.47241000+￥66.16262500+￥65.72905000+￥65.3573 -
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品类: MOS管描述: ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDD850N10L, 15.7 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装16945+￥4.806025+￥4.450050+￥4.2008100+￥4.0940500+￥4.02282500+￥3.93385000+￥3.898210000+￥3.8448 -
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品类: MOS管描述: N沟道PowerTrench MOSFET的60V ， 50A ， 14.6米？ N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 50A, 14.6m???87325+￥18.252050+￥17.4720200+￥17.0352500+￥16.92601000+￥16.81682500+￥16.69205000+￥16.61407500+￥16.5360
